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Capacidad: 512 GB
Interfaz: PCIe Gen3 ×4 (NVMe 1.3)
Factor de forma: M.2 2280 (80 mm × 22 mm)
Velocidades secuenciales máximas: lectura: hasta 2 000 MB/s / escritura: hasta 1 600 MB/s
Endurance (TBW): 160 TB para la versión de 512 GB
Resistencia a golpes: 1500 G / 0.5 ms
Tecnología NAND: 3D NAND
Compatibilidad con HMB (Host Memory Buffer)
Cifrado: AES de 256 bits
Temperatura operativa: 0 °C a 70 °C
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